RN1118MFV(TPL3)
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
RN1118MFV(TPL3) datasheet
-
МаркировкаRN1118MFV(TPL3)
-
ПроизводительTOSHIBA Semiconductor
-
ОписаниеTOSHIBA Semiconductor RN1118MFV(TPL3) Current - Collector (ic) (max): 100mA Current - Collector Cutoff (max): 500nA Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: VESM Power - Max: 150mW Resistor - Base (r1) (ohms): 47K Resistor - Emitter Base (r2) (ohms): 10K Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250?µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (max): 50V
-
Количество страниц8 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.06.2024
07.06.2024
06.06.2024